FDV304P_NB8U003
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDV304P_NB8U003中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 350mW Ta
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.46A
输入电容Ciss 63pF @10VVds
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDV304P_NB8U003引脚图与封装图
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在线购买FDV304P_NB8U003
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDV304P_NB8U003 | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET P-CH 25V 460mA SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号FDV304P_NB8U003
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDV304P_NB8U003 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23-3 P-CH 25V 0.46A | 当前型号 | MOSFET P-CH 25V 460mA SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： FDV304P 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -25V 460mA 1.1ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV | FDV304P_NB8U003和FDV304P的区别 |