2N5886G、TIP101、2N6490G对比区别
描述 NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon TransistorsON SEMICONDUCTOR 2N6490G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-204-2 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 2 - 3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 60.0 V
额定电流 25.0 A 8.00 A 15.0 A
极性 NPN NPN PNP, P-Channel
耗散功率 200 W 2 W 1.8 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 60 V
集电极最大允许电流 25A 8A 15A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @10A, 4V 1000 @3A, 4V 20
最大电流放大倍数(hFE) 100 20000 150
额定功率(Max) 200 W 2 W 1.8 W
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
频率 4 MHz - 5 MHz
额定功率 200 W - -
针脚数 2 - 3
热阻 0.875℃/W (RθJC) - -
直流电流增益(hFE) 4 - 5
耗散功率(Max) 200000 mW - 1800 mW
长度 39.37 mm 10.28 mm 10.28 mm
宽度 26.67 mm 4.82 mm 4.82 mm
高度 8.51 mm 9.28 mm 15.75 mm
封装 TO-204-2 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tray Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99