FDD5670、STD35NF06LT4、STD70N6F3对比区别

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型号 FDD5670 STD35NF06LT4 STD70N6F3

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STD35NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 VSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 52.0 A 35.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.012 Ω 0.014 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 83 W 80 W 110 W

阈值电压 2.5 V 1 V -

输入电容 2.74 nF 1700 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 52.0 A 17.5 A -

上升时间 12 ns 100 ns -

输入电容(Ciss) 2739pF @15V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 80 W 110 W

下降时间 24 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83 W 80W (Tc) 110W (Tc)

通道数 1 - -

栅电荷 52.0 nC - -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -