STD70N6F3

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252

N-Channel 60V 70A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 8.0 mOhm 70A STripFET III

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

STD70N6F3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD70N6F3引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
STD70N6F3	ST Microelectronics 意法半导体	STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252	搜索库存

替代型号STD70N6F3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： STD70N6F3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体封装： TO-252-3	当前型号	STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252	当前型号
型号： IRFR1018EPBF 品牌：国际整流器封装： TO-252-3 N-Channel 60V 79A	功能相似	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK Tube	STD70N6F3和IRFR1018EPBF的区别
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型号： IRFR1010ZTRLPBF 品牌：国际整流器封装： TO-252-3 N-Channel	功能相似	Trans MOSFET N-CH 55V 91A 3Pin2+Tab DPAK T/R	STD70N6F3和IRFR1010ZTRLPBF的区别