R5016ANJTL、STB21NK50Z、STB20NK50ZT4对比区别

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型号 R5016ANJTL STB21NK50Z STB20NK50ZT4

描述 MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PinSTMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-83 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 100 W 190 W 190 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 50 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

下降时间 55 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.23 Ω 0.23 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

额定功率(Max) - 190 W 190 W

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 17.0 A

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 17.0 A

封装 SC-83 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17