STB20NK50ZT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STB20NK50ZT4引脚图与封装图
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在线购买STB20NK50ZT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB20NK50ZT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STB20NK50ZT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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