R5016ANJTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R5016ANJTL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-83
外形尺寸
封装 SC-83
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5016ANJTL引脚图与封装图
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在线购买R5016ANJTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5016ANJTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3Pin | 搜索库存 |
替代型号R5016ANJTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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