RRH100P03GZETB、RRH100P03TB1对比区别

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型号 RRH100P03GZETB RRH100P03TB1

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 VP-CH 4V

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOP-8 SOP-8

引脚数 8 -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 2 W 650mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 3600pF @10V(Vds) 3600pF @10V(Vds)

下降时间 100 ns 100 ns

耗散功率(Max) 650mW (Ta) 650mW (Ta)

通道数 1 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 9 mΩ -

阈值电压 2.5 V -

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 10A -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOP-8 SOP-8

长度 5 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free