RRH100P03TB1
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRH100P03TB1中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 650mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 3600pF @10VVds
下降时间 100 ns
耗散功率Max 650mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRH100P03TB1引脚图与封装图
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在线购买RRH100P03TB1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P-CH 4V | 搜索库存 |
替代型号RRH100P03TB1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RRH100P03TB1 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP-8 P-CH 4V | 当前型号 | P-CH 4V | 当前型号 |
| 型号： RRH100P03GZETB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP-8 P-Channel 30V 10A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V | RRH100P03TB1和RRH100P03GZETB的区别 |