通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 9 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 3600pF @10VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RRH100P03GZETB引脚图
RRH100P03GZETB封装图
RRH100P03GZETB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RRH100P03GZETB 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOP-8 P-Channel 30V 10A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V | 当前型号 | |
型号: RRH100P03TB1 品牌: 罗姆半导体 封装: SOP-8 P-CH 4V | 类似代替 | P-CH 4V | RRH100P03GZETB和RRH100P03TB1的区别 |