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FJD3076TM、MJD340G、MJD340RLG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJD3076TM MJD340G MJD340RLG

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MJD340G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 15 W, 500 mA, 240 hFE高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 32.0 V 300 V 300 V

额定电流 2.00 A 500 mA 500 mA

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1000 mW 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 300 V 300 V

热阻 - 8.33℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 2A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 130 @500mA, 3V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 240 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 10 W 1560 mW 1560 mW

频率 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 270 - -

长度 6.6 mm 6.73 mm -

宽度 6.1 mm 2.38 mm -

高度 2.3 mm 6.22 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99