FJD3076TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJD3076TM中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 130 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 270
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJD3076TM引脚图与封装图
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在线购买FJD3076TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJD3076TM | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号FJD3076TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJD3076TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 NPN 32V 2A 1000mW | 当前型号 | NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： FJD3076TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK NPN | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 32V 2A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FJD3076TM和FJD3076TF的区别 |
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| 型号： MJD340G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 300V 500mA 1560mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD340G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 15 W, 500 mA, 240 hFE | FJD3076TM和MJD340G的区别 |