BSR58LT1、BSR58LT1G对比区别

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型号 BSR58LT1 BSR58LT1G

描述 JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − DepletionJFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

安装方式 - Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 350 mW

栅源击穿电压 40.0 V 40.0 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 50.0 mA

漏源极电阻 - 60 Ω

漏源极电压(Vds) - 40.0 V

击穿电压 - 40 V

额定功率(Max) - 350 mW

高度 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99