BSR58LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
击穿电压 40 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSR58LT1G引脚图与封装图
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在线购买BSR58LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSR58LT1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion | 搜索库存 |
替代型号BSR58LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSR58LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 40V 50mA 350mW | 当前型号 | JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion | 当前型号 |
| 型号： BSR58LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 350mW | 完全替代 | JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion | BSR58LT1G和BSR58LT1的区别 |