MMBFJ177、MMBFJ177LT1G、PMBFJ176,215对比区别

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型号 MMBFJ177 MMBFJ177LT1G PMBFJ176,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFETON SEMICONDUCTOR  MMBFJ177LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFETNXP  PMBFJ176,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 2 mA, 35 mA, 4 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V -25.0 V -

额定电流 20.0 mA -20.0 mA -

额定功率 - 225 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

漏源极电阻 300 Ω 300 Ω 250 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 225 mW 225 mW 300 mW

输入电容 - 11.0 pF -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 25.0 V 30 V

栅源击穿电压 30.0 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 10.8 mA 20.0 mA -

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 11pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW 300 mW

长度 2.92 mm 3.04 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -