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DTC114ESA、DTC114EUAT106、DTC114EM3T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114ESA DTC114EUAT106 DTC114EM3T5G

描述 数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)DTC114EUA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-70NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SPT SOT-323-3 SOT-723-3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 50.0 mA 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 0.2 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 35

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 260 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 600 mW

额定功率 - 0.2 W -

增益带宽 - 250 MHz -

长度 - - 1.25 mm

宽度 - 1.25 mm 0.8 mm

高度 - 0.9 mm 0.55 mm

封装 SPT SOT-323-3 SOT-723-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99