额定电压DC 50.0 V
额定电流 50.0 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
DTC114EUAT106引脚图
DTC114EUAT106封装图
DTC114EUAT106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTC114EUA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-70 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC114EUAT106 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT3 NPN 50V 50mA 200mW | 当前型号 | DTC114EUA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-70 | 当前型号 | |
型号: DTC114EUAFRAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-323 NPN | 完全替代 | ROHM DTC114EUAFRAT106 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | DTC114EUAT106和DTC114EUAFRAT106的区别 | |
型号: DTC114EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-346 NPN 50V 50mA 200mW | 类似代替 | ROHM DTC114EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114EUAT106和DTC114EKAT146的区别 | |
型号: DTC114TUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-70 N-Channel 50V 100mA 0.2W | 类似代替 | ROHM DTC114TUAT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFE | DTC114EUAT106和DTC114TUAT106的区别 |