LM5111-1M、LM5111-1M/NOPB、LM5111-1MX/NOPB对比区别

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型号 LM5111-1M LM5111-1M/NOPB LM5111-1MX/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM5111-1M  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas InstrumentsLM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 14ns, 12ns 14ns, 12ns 14ns, 12ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 - 8

静态电流 1.00 mA 1.00 mA 1.00 mA

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

下降时间 25 ns 25 ns 25 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

上升时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 3.5 V 3.5 V 3.5 V

电源电压(DC) 14.0V (max) 3.50V (min) -

输出电流 5 A 5 A -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.45 mm 1.45 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99