SI7121ADN-T1-GE3、SI7423DN-T1-E3对比区别

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型号 SI7121ADN-T1-GE3 SI7423DN-T1-E3

描述 VISHAY  SI7121ADN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -18A, POWERPAK1212-8VISHAY  SI7423DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 8 8

封装 PowerPAK-1212-8 1212

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0125 Ω 0.014 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 27.8 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) - -30.0 V

连续漏极电流(Ids) - -11.7 A

上升时间 34 ns 10 ns

下降时间 10 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

通道数 1 -

阈值电压 2.5 V -

封装 PowerPAK-1212-8 1212

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15