SI7121ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 27.8 W
阈值电压 2.5 V
上升时间 34 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7121ADN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7121ADN-T1-GE3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7121ADN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -18A, POWERPAK1212-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7121ADN-T1-GE3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7121ADN-T1-GE3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: PowerPAK P-Channel | 当前型号 | VISHAY SI7121ADN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -18A, POWERPAK1212-8 | 当前型号 | |
型号: SI7423DN-T1-E3 品牌: 威世 封装: PowerPAK P-Channel 30V 11.7A | 功能相似 | VISHAY SI7423DN-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK | SI7121ADN-T1-GE3和SI7423DN-T1-E3的区别 |