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SI7423DN-T1-E3

SI7423DN-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7423DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for battery switch applications.

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New PowerPAK® package low thermal resistance, RthJC
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New PowerPAK® package low 1.07mm profile
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-55 to 150°C Operating temperature range
SI7423DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -11.7 A

上升时间 10 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7423DN-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7423DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7423DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK 搜索库存
替代型号SI7423DN-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7423DN-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK P-Channel 30V 11.7A

当前型号

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