
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -11.7 A
上升时间 10 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 1212
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7423DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7423DN-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7423DN-T1-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: PowerPAK P-Channel 30V 11.7A | 当前型号 | VISHAY SI7423DN-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK | 当前型号 | |
型号: SI7121ADN-T1-GE3 品牌: 威世 封装: PowerPAK P-Channel | 功能相似 | VISHAY SI7121ADN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -18A, POWERPAK1212-8 | SI7423DN-T1-E3和SI7121ADN-T1-GE3的区别 |