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MMBT5088、MMBT5088LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5088 MMBT5088LT1G

描述 MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBT5088LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 50.0 mA

针脚数 3 3

极性 - NPN

耗散功率 350 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @100µA, 5V 300 @100µA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99