MMBT5088LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5088LT1G引脚图与封装图 
MMBT5088LT1G引脚图
MMBT5088LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT5088LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT5088LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5088LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 50mA 0.3W | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | 当前型号 |
| 型号： SMMBT5088LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 类似代替 | MMBT5088L: NPN 双极晶体管 | MMBT5088LT1G和SMMBT5088LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5088 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23 | MMBT5088LT1G和MMBT5088的区别 |
| 型号： MMBT5088LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 50A | 类似代替 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistors | MMBT5088LT1G和MMBT5088LT1的区别 |