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MJE700、MJE700G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE700 MJE700G

描述 4.0安培达林顿功率晶体管互补硅40瓦50瓦 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATTON SEMICONDUCTOR  MJE700G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-225-3 TO-225-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

输出电压 - 60 V

针脚数 - 3

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 40.0 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) -60.0 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 100 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) - 40 W

直流电流增益(hFE) - 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW

输入电压 - 5 V

长度 7.74 mm 7.8 mm

宽度 2.66 mm 2.66 mm

高度 11.04 mm 11.1 mm

封装 TO-225-3 TO-225-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99