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MJE700G

ON SEMICONDUCTOR  MJE700G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 - 通孔 TO-225AA


得捷:
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126


贸泽:
Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Allied Electronics:
PNP-SI, TRANSISTOR; PNP; 60VDC; 60VDC; 5VDC; 4 ADC COLLECTOR; 0.1 ADC IB; 40W


安富利:
Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE700G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA


MJE700G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 60 V

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.1 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE700G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJE700G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJE700G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE 搜索库存
替代型号MJE700G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJE700G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 PNP -60V -4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJE700G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

当前型号

型号: BD678G

品牌: 安森美

封装: TO-225 PNP -60V -4A 40000mW

完全替代

塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

MJE700G和BD678G的区别

型号: MJE700

品牌: 安森美

封装: TO-225 Dual P-Channel 60V 4A 40W

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4.0安培达林顿功率晶体管互补硅40瓦50瓦 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

MJE700G和MJE700的区别

型号: BD678

品牌: 意法半导体

封装: SOT-32 P-Channel -60V -4A 40000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

MJE700G和BD678的区别