IPD60R2K1CEAUMA1、IPD60R2K1CEBTMA1对比区别

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型号 IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEBTMA1

描述 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 600V 2.3A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 1.8 Ω -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 38 W 38 W

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3.7A 2.3A

上升时间 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 140pF @100V(Vds) 140pF @100V(Vds)

下降时间 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 22W (Tc)

额定功率 - 22 W

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free