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IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET CONSUMER


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 / N-Channel 600 V 2.3A Tc 38W Tc Surface Mount PG-TO252-3


IPD60R2K1CEAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-CH

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 140pF @100VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPD60R2K1CEAUMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD60R2K1CEAUMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD60R2K1CEAUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R2K1CEAUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 600V 3.7A

当前型号

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号: IPD60R2K1CEBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 600V 2.3A

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DPAK N-CH 600V 2.3A

IPD60R2K1CEAUMA1和IPD60R2K1CEBTMA1的区别