IPD60R2K1CEBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD60R2K1CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 22 W
极性 N-CH
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 22W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IPD60R2K1CEBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD60R2K1CEBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD60R2K1CEBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 600V 2.3A | 搜索库存 |
替代型号IPD60R2K1CEBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD60R2K1CEBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 600V 2.3A | 当前型号 | DPAK N-CH 600V 2.3A | 当前型号 |
| 型号： IPD60R2K1CEAUMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 600V 3.7A | 类似代替 | Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | IPD60R2K1CEBTMA1和IPD60R2K1CEAUMA1的区别 |