APT47N60BC3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT47N60BC3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 47.0 A
极性 N-CH
耗散功率 417 W
输入电容 7.01 nF
栅电荷 260 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 7015pF @25VVds
额定功率Max 417 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT47N60BC3G引脚图与封装图
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在线购买APT47N60BC3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT47N60BC3G | Microsemi 美高森美 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT47N60BC3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT47N60BC3G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 600V 47A 7.01nF | 当前型号 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 当前型号 |
| 型号： APT47N60BCFG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 600V 46A 7.29nF | 类似代替 | TO-247 600V 46A | APT47N60BC3G和APT47N60BCFG的区别 |
| 型号： FCH47N60F_F133 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247AB N-Channel 600V 47A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60F_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V | APT47N60BC3G和FCH47N60F_F133的区别 |
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