STB20NM50-1、STI16NM50N、STP16NM50N对比区别

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型号 STB20NM50-1 STI16NM50N STP16NM50N

描述 N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

耗散功率 192 W 125W (Tc) 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 1200pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 192W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 15A -

额定电压(DC) 550 V - -

额定电流 20.0 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 250 mΩ - -

输入电容 1.48 nF - -

栅电荷 56.0 nC - -

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

上升时间 16 ns - -

额定功率(Max) 192 W - -

下降时间 8.5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 8.95 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free