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NTR4503NT1G、PMV60EN、ZXMN3A01F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTR4503NT1G PMV60EN ZXMN3A01F

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTR4503NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 VNXP  PMV60EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 55 mohm, 10 V, 2 VDIODES INC.  ZXMN3A01F  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 2.50 A - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.14 Ω 55 mΩ 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 730 mW 2 W 806 mW

阈值电压 1.75 V 2 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A, 2.50 mA 4.70 A 2.00 A

输入电容(Ciss) 250pF @24V(Vds) - -

额定功率(Max) 420 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 730 mW - -

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.01 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -