PMV60EN
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMV60EN中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 55 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMV60EN引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMV60EN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMV60EN | NXP 恩智浦 | NXP PMV60EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 55 mohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号PMV60EN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMV60EN 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 4.7A | 当前型号 | NXP PMV60EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 55 mohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： PMV60EN,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23-3 N-Channel 30V 4.7A | 完全替代 | TO-236AB N-CH 30V 4.7A | PMV60EN和PMV60EN,215的区别 |
| 型号： PMV45EN2 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3Pin TO-236AB | PMV60EN和PMV45EN2的区别 |
| 型号： NTR4503NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2.5A 105mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR4503NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 V | PMV60EN和NTR4503NT1G的区别 |