ZXMN3A01F
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXMN3A01F中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 806 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXMN3A01F引脚图与封装图
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在线购买ZXMN3A01F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMN3A01F | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMN3A01F 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号ZXMN3A01F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMN3A01F 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2A | 当前型号 | DIODES INC. ZXMN3A01F 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： NTR4503NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2.5A 105mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR4503NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 V | ZXMN3A01F和NTR4503NT1G的区别 |
| 型号： NVTR4503NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 30V 2A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor | ZXMN3A01F和NVTR4503NT1G的区别 |