PSMN1R8-40YLC,115、PSMN2R6-40YS,115、PSMN1R0-40YLDX对比区别

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型号 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN1R0-40YLDX

描述 PSMN1R8-40YLC,115 编带Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 5

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.0015 Ω 0.002 Ω 0.00093 Ω

耗散功率 272 W 131 W 198 W

阈值电压 1.45 V 3 V 1.7 V

输入电容 6680 pF 3776 pF 8845 pF

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 37 ns 22 ns 62 ns

输入电容(Ciss) 6680pF @20V(Vds) 3776pF @12V(Vds) 8845pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 272 W 131 W -

下降时间 31.7 ns 15 ns 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 272W (Tc) 131W (Tc) 198W (Tc)

通道数 - - 1

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

长度 - 5 mm 5.3 mm

宽度 - 4.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅