PSMN2R6-40YS,115
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Nexperia
安世
分立器件
PSMN2R6-40YS,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.002 Ω
耗散功率 131 W
阈值电压 3 V
输入电容 3776 pF
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3776pF @12VVds
额定功率Max 131 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 131W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, 消费电子产品, 通信与网络
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
PSMN2R6-40YS,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN2R6-40YS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN2R6-40YS,115 | Nexperia 安世 | Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装 | 搜索库存 |
替代型号PSMN2R6-40YS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN2R6-40YS,115 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装 | 当前型号 |
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