PSMN1R0-40YLDX
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
PSMN1R0-40YLDX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.00093 Ω
耗散功率 198 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 8845 pF
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 8845pF @20VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 198W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5.3 mm
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用, 工业, 电机驱动与控制, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PSMN1R0-40YLDX引脚图与封装图
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在线购买PSMN1R0-40YLDX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN1R0-40YLDX | Nexperia 安世 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号PSMN1R0-40YLDX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN1R0-40YLDX 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： PSMN2R6-40YS,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装 | PSMN1R0-40YLDX和PSMN2R6-40YS,115的区别 |