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BC848B-13-F、BC848BWT1、BC848BWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848B-13-F BC848BWT1 BC848BWT1G

描述 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BC848BWT1G  晶体管 双极-射频, NPN, 30 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SC-70-3 SC-70-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 450 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 310 mW 150 mW 225 mW

频率 300 MHz - 100 MHz

针脚数 - - 3

耗散功率 0.35 W - 150 mW

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 150 mW

封装 SOT-23 SC-70-3 SC-70-3

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 0.9 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99