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BC848B-13-F

BC848B-13-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

Ideally Suited for Automatic Insertion

Complementary PNP Types: BC856 – BC858

For switching and AF Amplifier Applications


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 30V 0,1A SOT23 **


BC848B-13-F中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 450 @2mA, 5V

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC848B-13-F引脚图与封装图
BC848B-13-F引脚图

BC848B-13-F引脚图

BC848B-13-F封装图

BC848B-13-F封装图

BC848B-13-F封装焊盘图

BC848B-13-F封装焊盘图

在线购买BC848B-13-F
型号 制造商 描述 购买
BC848B-13-F Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存
替代型号BC848B-13-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BC848B-13-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23 NPN 0.35W

当前型号

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

当前型号

型号： BC848B-7

品牌： 美台

封装： SOT-23 NPN

完全替代

Transistors Bipolar - BJT NPN BIPOLAR

BC848B-13-F和BC848B-7的区别

型号： BC848B-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 NPN 350mW

功能相似

DIODES INC.  BC848B-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE

BC848B-13-F和BC848B-7-F的区别

型号： BC848B

品牌： Diotec Semiconductor

封装：

功能相似

Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

BC848B-13-F和BC848B的区别