SPB80N04S2-04、FDB8441_F085、STB150NF04对比区别

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型号 SPB80N04S2-04 FDB8441_F085 STB150NF04

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

输入电容 6.98 nF - -

栅电荷 170 nC - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A -

输入电容(Ciss) 6980pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - - 7 mΩ

漏源击穿电压 - - 40 V

上升时间 - 24 ns 150 ns

下降时间 - 17.9 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm 10.4 mm

宽度 - 9.65 mm 9.35 mm

高度 - 4.83 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -