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FDB8441_F085

FDB8441_F085

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK


FDB8441_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 15000pF @25VVds

下降时间 17.9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB8441_F085引脚图与封装图
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在线购买FDB8441_F085
型号 制造商 描述 购买
FDB8441_F085 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDB8441_F085
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDB8441_F085

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-252-3 N-CH 40V 80A

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： FDB8441

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-263 N-Channel 40V 28A 2.5mohms 15nF

功能相似

N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDB8441_F085和FDB8441的区别

型号： STB150NF04

品牌： 意法半导体

封装： TO-263-3

功能相似

N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET

FDB8441_F085和STB150NF04的区别

型号： SPB80N04S2-04

品牌： 英飞凌

封装： D2PAK N-CH 40V 80A 6.98nF

功能相似

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

FDB8441_F085和SPB80N04S2-04的区别