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TLC2272AMD、TLC2272AMDRG4、TLC2272AMDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272AMD TLC2272AMDRG4 TLC2272AMDR

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS具有宽工作温度范围的高级 LinCMOS™ 轨到轨、双路精密运算放大器 8-SOIC高级LinCMOSTM轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOSTM RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 2.4 mA 2.4 mA 2.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70dB ~ 75dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

增益带宽 2.25 MHz 2.25 MHz 2.25 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 4.4 V

电源电压(DC) 8.00 V - -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -