锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC857AMTF、BC857CLT1G、BC860AMTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857AMTF BC857CLT1G BC860AMTF

描述 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 150 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 310 mW 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 310 mW 225 mW 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310 mW 300 mW 310 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 420 -

最大电流放大倍数(hFE) - - 800

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.93 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99