BC857CLT1G
数据手册.pdfON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用