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BC857CLT1G

BC857CLT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用

BC857CLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC857CLT1G引脚图与封装图
BC857CLT1G引脚图

BC857CLT1G引脚图

BC857CLT1G封装焊盘图

BC857CLT1G封装焊盘图

在线购买BC857CLT1G
型号 制造商 描述 购买
BC857CLT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE 搜索库存
替代型号BC857CLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857CLT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

当前型号

型号: SBC857CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP 300mW

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BC857CLT1G和SBC857CLT1G的区别

型号: BC857CLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 PNP 300mW

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BC857CLT1G和BC857CLT3G的区别

型号: BC857CLT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -45V -100mA

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BC857CLT1G和BC857CLT1的区别