FDB3682、STB30NF10T4、NTB52N10T4G对比区别

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型号 FDB3682 STB30NF10T4 NTB52N10T4G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V52A,100V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 32.0 A 35.0 A 52.0 A

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.032 Ω 0.038 Ω 30 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 95 W 115 W 178 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 15.0 A 52.0 A

上升时间 46 ns 40 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 3150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 95 W 115 W 2 W

下降时间 32 ns 10 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 95W (Tc) 115W (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 3 V -

输入电容 1.25 nF - -

栅电荷 18.5 nC - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.29 mm

宽度 11.33 mm 9.35 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99