FDB3682
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB3682中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.25 nF
栅电荷 18.5 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 1250pF @25VVds
额定功率Max 95 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB3682引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB3682
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB3682 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDB3682
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB3682 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 100V 32A 36mohms 1.25nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STB30NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 100V 15A 38mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V | FDB3682和STB30NF10T4的区别 |
| 型号： STB35NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDB3682和STB35NF10T4的区别 |
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