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STB30NF10T4

STB30NF10T4

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STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


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### N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 100V 35A


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MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK


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# STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V


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MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


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MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


STB30NF10T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB30NF10T4引脚图与封装图
STB30NF10T4引脚图

STB30NF10T4引脚图

STB30NF10T4封装图

STB30NF10T4封装图

STB30NF10T4封装焊盘图

STB30NF10T4封装焊盘图

在线购买STB30NF10T4
型号 制造商 描述 购买
STB30NF10T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STB30NF10T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB30NF10T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 100V 15A 38mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： FQB33N10TM

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-263 N-Channel 100V 33A 52mohms

功能相似

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STB30NF10T4和FQB33N10TM的区别

型号： IRF540NSTRLPBF

品牌： 国际整流器

封装： TO-263 N-Channel 100V 33A

功能相似

100V,33A,N沟道功率MOSFET

STB30NF10T4和IRF540NSTRLPBF的区别

型号： FDB3682

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-263 N-Channel 100V 32A 36mohms 1.25nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

STB30NF10T4和FDB3682的区别