2SK3878(F)、FQA9N90C_F109、STW11NK90Z对比区别
型号 2SK3878(F) FQA9N90C_F109 STW11NK90Z
描述 TOSHIBA 2SK3878(F) 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 VQFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STW11NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.3 Ω 1.12 Ω 0.82 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 280 W 200 W
阈值电压 4 V 5 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 9.2A
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2730pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 280 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150 W 280W (Tc) 200W (Tc)
上升时间 - - 19 ns
下降时间 - - 50 ns
长度 15.9 mm 15.8 mm 15.75 mm
宽度 4.8 mm 5 mm 5.15 mm
高度 19 mm 18.9 mm 20.15 mm
封装 TO-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Bulk Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -