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FQA9N90C_F109

FQA9N90C_F109

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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Low gate charge 45nC
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Low Crss 14pF
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100% avalanche tested
FQA9N90C_F109中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 280 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 9A

输入电容Ciss 2730pF @25VVds

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQA9N90C_F109引脚图与封装图
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在线购买FQA9N90C_F109
型号 制造商 描述 购买
FQA9N90C_F109 Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQA9N90C_F109
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQA9N90C_F109

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-3PN N-Channel 900V 9A

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： FQA9N90C

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-3PN N-Channel 900V 9A 1.4ohms

类似代替

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

FQA9N90C_F109和FQA9N90C的区别

型号： FQA7N90_F109

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO N-CH 900V 7.4A

类似代替

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

FQA9N90C_F109和FQA7N90_F109的区别

型号： 2SK3878F

品牌： 东芝

封装： TO N-Channel 9A

功能相似

TOSHIBA  2SK3878F  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V

FQA9N90C_F109和2SK3878F的区别