DS1230AB-120IND+、DS1230Y-120+、DS1230AB-120+对比区别

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型号 DS1230AB-120IND+ DS1230Y-120+ DS1230AB-120+

描述 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120+  芯片, 存储器, NVRAMRAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

频率 - 120 GHz -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

针脚数 28 28 28

时钟频率 - 120 GHz 120 GHz

存取时间 120 ns 120 ns 120 ns

内存容量 - 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.25 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V 4.75 V

长度 - 39.12 mm 39.12 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free