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DS1230AB-120+

DS1230AB-120+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM,


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


欧时:
### 非易失 RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。


立创商城:
DS1230AB-120+


e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 120 ns, EDIP


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-120+  NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 120 ns


DS1230AB-120+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

针脚数 28

时钟频率 120 GHz

存取时间 120 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1230AB-120+引脚图与封装图
DS1230AB-120+引脚图

DS1230AB-120+引脚图

DS1230AB-120+封装图

DS1230AB-120+封装图

DS1230AB-120+封装焊盘图

DS1230AB-120+封装焊盘图

在线购买DS1230AB-120+
型号 制造商 描述 购买
DS1230AB-120+ Maxim Integrated 美信 RAM,Maxim Integrated ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 搜索库存
替代型号DS1230AB-120+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1230AB-120+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

当前型号

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

当前型号

型号: DS1230AB-120

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

完全替代

IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP

DS1230AB-120+和DS1230AB-120的区别

型号: DS1230AB-200+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 200ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230AB-120+和DS1230AB-200+的区别

型号: DS1230Y-120IND+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230AB-120+和DS1230Y-120IND+的区别